三星3纳米芯片再遭“难产”质疑

资讯 2024-06-26 11:30:30

界面新闻记者 | 李彪
界面新闻编辑 | 文姝琪

宣布成功量产两年后,三星的3纳米芯片工艺再次受到了业界的“难产”质疑。

6月25日,通讯行业知名爆料人、天风证券分析师郭明錤在X(原推特)平台上发布社交动态评论,称由于三星自研的Exynos 2500处理器3纳米芯片良率低于预期无法出货,其下一代旗舰机Galaxy S25很可能会全部转向采用高通的3纳米骁龙处理器8 Gen4。

郭明錤还透露,在上一代Galaxy S24机型上,高通处理器芯片只占40%的份额,剩余60%均为自研。根据三星的官方产品介绍,Galaxy S24和Galaxy S24+采用的均为三星自研的Exynos 2400 4纳米芯片,仅Galaxy S24 Ultra采用了高通骁龙8 Gen3 4纳米芯片。

高通与三星在智能手机处理器上有着多年的合作关系。为扶持自家的芯片业务,三星旗舰手机多年沿用“高通+三星自研”的方案。同时,高通为了避免对于台积电一家芯片代工商的依赖,会将部分骁龙处理器芯片的代工订单交由三星完成。

例如高通2021年发布的骁龙8 Gen 1处理器就是基于三星的4纳米工艺制程生产,后因为这款产品实际使用中出现功耗高、发热量大等问题,2022年发布的骁龙8 Gen 2、8Gen3在4纳米芯片上沿用了“台积电负责大部分,三星补充产能”的双代工模式。

早在去年12月,台媒《工商时报》就曾引用业内人士爆料称,高通下一代处理器Snapdragon 8 Gen4,取消了原计划“台积电主供+三星二供”的策略,改由台积电独家代工,主要原因就是三星3纳米良率不佳。

界面新闻记者就此事向三星求证。三星总部回应称3纳米的良率和客户相关信息均为敏感信息,无法透露。公司目前3纳米芯片工艺在良率和性能表现上正不断成熟,其中还包括了将于今年晚些推出的第二代3纳米工艺。其还表示,至于有部分媒体传播的“三星3纳米良率为0”为不实信息。

良率是衡量半导体制造工艺水平的一个重要指标,是指符合质量标准的芯片数量与总生产芯片数量的比例,直接关系到能否大规模量产落地。自从三星3纳米芯片诞生之时起,其良率问题便一直饱受外界的各种质疑。

2022年6月,三星官宣全球首家量产3纳米,并计划大举投入来跟台积电争夺客户。2022年12月台积电宣布量产3纳米后,就陆续有韩国媒体曝出,三星实际量产良率并不理想,远远落后于台积电。

根据《金融时报》(Financial Times)在2023年12月的报道,三星生产3纳米芯片中最基础的产品良率当时仅为60%,低于客户预期,迟迟没能拿下高通、谷歌等大客户的订单。

与之形成鲜明对比,台积电虽落后三星近半年发布,但良率与规模稳步提升。

2023年1月,台积电前董事长刘德音在演讲中宣称其3nm良率“已与5nm良率同期相当”,多家海外机构分析师分析其良率可能高达80%。到2023年9月,台积电又拿下苹果的订单,iPhone 15 Pro系列的A17 Pro芯片首发台积电3纳米工艺,将智能手机正式带入3纳米时代。

今年上半年,继苹果之后,安卓新机阵营也开始集体转向3纳米芯片,台积电接连拿下了联发科、高通的大单。半导体研究机构TrendForce分析师乔安告诉记者,除了苹果外,随着安卓阵营的其余客户产品将在今年第二季度陆续发布,预计2025年将是3纳米的“普及之年”,智能手机将会是最主要的应用。

据《经济日报》近期报道,随着AI服务器、高性能计算应用与高端智能手机转向AI手机,对于先进制程芯片的需求大增,苹果、高通、英伟达与AMD等四大厂商已大举包下了台积电3纳米芯片制程产能,客户排队一路排到了2026年。

同时,台积电还定下目标,2024年下半年要实现80%产能利用率。一家国际研究机构的资深人士告诉记者,80%的良率是台积电内部量产芯片的一道关卡。过了这一关,大规模量产就已经可以持续盈利,同时还反过来支持良率继续爬升到90%以上。

多位行业人士告诉记者,如果以已经取得的成绩来看,台积电目前是3纳米芯片竞争中的“唯一赢家”。

三星则在正全力提升良率,追赶台积电的脚步。今年6月,其被韩媒曝光内部已将改善下半年量产的第二代3纳米制程良率作为首要任务,目标良率60%以上。

值得关注的是,除了3纳米的追赶外,三星还计划向台积电发起更大的挑战。今年年度股东大会上,三星高管定下目标,计划要在两到三年内,重新夺回全球芯片市场第一的位置。根据最新发布的全球芯片代工厂的市场份额排名显示,台积电占61%高居第一,三星占14%排名第二。当下来看这一目标,三星还需要更多成绩证明自己。

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